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MMBD452LT1G中文资料

MMBD452LT1G图片

MMBD452LT1G外观图

  • 大小：45.05KB
  • 厂家：ONSEMI
  • 描述：ON Semiconductor [Dual Hot−Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes]
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：RF 二极管
  • 系列：-
  • 二极管类型：肖特基 - 1 对串联
  • 电压 - 峰值反向(最大)：30V
  • 电流 - 最大：-
  • 电容@ Vr, F：1.5pF @ 15V，1MHz
  • 电阻@ Vr, F：-
  • 功率耗散（最大）：225mW
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：MMBD452LT1G-NDMMBD452LT1GOSTR

MMBD452LT1G供应商

更新时间:2023-01-04 08:34:26
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